半导体产业链关键环节再添新军 薄膜沉积设备领军企业拓荆科技4月8日开启申购

    本报记者 李勇

    薄膜沉积设备、光刻设备与刻蚀设备作为晶圆制造三大核心设备，决定着芯片制造工艺的先进程度。作为打破薄膜沉积设备国际垄断的国内唯一一家产业化应用集成电路PECVD、SACVD设备厂商和国内领先的ALD设备厂商，拓荆科技将于2022年4月8日网上、网下申购，网下申购代码“688072”，网上申购代码“787072”，发行价格71.88元/股。

    拓荆科技主要从事高端半导体专用设备的研发、生产、销售和技术服务。公司聚焦于半导体薄膜沉积设备的研发和生产，主要产品包括等离子体增强化学气相沉积（PECVD）设备、原子层沉积（ALD）设备和次常压化学气相沉积（SACVD）设备三个产品系列，广泛应用于国内晶圆厂14nm及以上制程集成电路制造产线，并已展开10nm及以下制程产品验证测试。公开披露信息显示，公司下游客户包含中芯国际、华虹集团、长江存储、长鑫存储、厦门联芯、燕东微电子等国内主流晶圆厂商。

    作为高新技术企业，拓荆科技立足于自主创新，持续研发投入，在半导体薄膜沉积设备领域，拓积累了多项研发及产业化的核心技术。数据显示，截至2022年3月8日，公司累计获取授权专利174项，其中发明专利共计98项。同时，公司还先后承担了“90-65nm等离子体增强化学气相沉积设备研发与应用”、“1x nm 3D NAND PECVD 研发及产业化”等多项国家重大专项/课题。

    据了解，拓荆科技此次发行所募资金将主要用于高端半导体设备扩产、先进半导体设备的技术研发与改进，以及ALD设备研发与产业化等项目。据公司董事长吕光泉网上路演时的介绍，拓荆科技目前已形成覆盖二十余种工艺型号的薄膜沉积设备，拥有多项核心技术，解决了半导体制造中纳米级厚度薄膜均匀一致性、薄膜表面颗粒数量少、快速成膜、设备产能稳定高速等关键难题，关键性能指标已达到国际先进水平。截至2021年9月10日，公司在手订单15亿元。

    拓荆科技总经理田晓明在参与网上路演时表示，“相较于国外主流设备，拓荆设备的主要技术参数已达到国际设备水平。在国内客户售后服务更具有快速响应等优势，公司产品采取差异化战略，更具有竞争力的成本优势。未来公司还将不断丰富产品种类，提高研发创新力度，不断提高市场占有率。”

（编辑 才山丹）